semiconduttori, materiale disponibile:
-
Crescita epitassiale (MOVPE) di materiali a base di InP e studio degli effetti dell'impiantazione ionica di Fe
Autore: Stefano Rampino
Abstract: In seguito allo sviluppo delle tecniche avanzate di deposizione epitassiale (MOVPE, MOMBE, MBE), le leghe di semiconduttori composti III-V ricoprono oggi un ruolo fondamentale nell’ambito dell’elettronica e delle telecomunicazioni: si caratterizzano per l’elevata flessibilità nel campo applicativo e per la grande varietà dei processi fisici adatti allo sviluppo di dispositivi innovativi. Ultimamente, data la necessità di produrre dispositivi operanti nelle finestre di lavoro delle fibre » -
Le joint venture internazionali: Il caso ST-Ericsson
Autore: Vittorio Ferro
Abstract: DISCORSO La mia ricerca affronta il tema delle joint venture, forma di collaborazione a cui le imprese internazionali oggigiorno ricorrono frequentemente, in quanto l'allargamento degli orizzonti spazio temporali ha ampliato le opportunità per le imprese ma ha allo stesso modo ingigantito i rischi. Questo fa si che le imprese tendono ad affrontare le sfide internazionali stringendo partnership di diversa struttura e tipologia. In questa mia tesi divisa in tre capitoli, parto da uno studio » -
Preparazione di nanocristalli di semiconduttori come marcatori luminescenti biocompatibili
Autore: Christian Bellacanzone
Abstract: Scopo di questo lavoro di tesi è la sintesi e la caratterizzazione di nanocristalli semiconduttori stabilizzati con molecole di derivazione biologica al fine di ottenere marcatori luminescenti biocompatibili. Nello specifico saranno sintetizzati nanocristalli di CdSe attraverso l'uso di microemulsioni water-in-oil al fine di ottenere quantum dots in micelle inverse che modellino le dimensioni e che rimangano relativamente stabili nel tempo, per poi confrontare le variazioni delle proprietà » -
Calcoli da principi primi per lo studio degli effetti di bordo sulle proprietà strutturali ed elettroniche di nanostrisce di grafene
Autore: Agostino Occhicone
Abstract: Il lavoro si divide in tre parti fondamentali e in cinque capitoli. Nel primo capitolo è introdotto l’ambito di ricerca in cui ci muoveremo, si definiscono le proprietà fondamentali che tanto interesse hanno suscitato intorno al grafene e si definisce il sistema che si intende studiare, ossia nanostrisce di grafene con bordi zig zag. Nel secondo capitolo si spiegano i modelli principali su cui ci si basa per la descrizione delle strutture a bande di materiali metallici, semiconduttori e » -
Caratterizzazione della catena di lettura di un rivelatore al silicio
Autore: Luca Gabaglio
Abstract: Caratterizzazione della catena di lettura di un rivelatore al silicio. In questo lavoro di tesi è stata eseguita la caratterizzazione della catena di lettura di un rivelatore al silicio con lo scopo di individuare la frequenza di clock massima utilizzabile, e i valori ottimali di hold delay e convert delay. Il rivelatore ha registrato le particelle emesse da una sorgente di radiazione β, lo 90Sr. Lo scintillatore ha generato il trigger, l’elettronica di front-end ha amplificato e formato il » -
The Internationalization of Innovative Activities: The Case of the Semiconductor Industry
Autore: Valentina Rizzo
Abstract: The thesis focuses on the issue of activities R & D and innovation, in this case deepens thematic analysis of the semiconductor industry. » -
Caratterizzazione e controllo di un processo di dry etching per la produzione di memorie Flash EEPROM.
Autore: Stefano Sardo
Abstract: La tesi qui presentata è incentrata sulla caratterizzazione e l’elaborazione di una strategia di controllo per un processo di dry etching di ossido di silicio, denominato SAS etch. Tale processo costituisce un passo del ciclo di produzione di dispositivi di memoria Flash EEPROM (un tipo di memorie a semiconduttore non volatili, di concezione relativamente recente) nello stabilimento della Texas Instruments situato ad Avezzano. Questi dispositivi vengono realizzati su wafer di silicio, e la » -
Celle solari ad alta efficienza in GaAs per applicazioni spaziali
Autore: Cosimo Lacava
Abstract: Questo lavoro di tesi ha lo scopo di analizzare gli aspetti teorici che caratterizzano lo sviluppo di celle solari ad alta efficienza in "GaAs" per applicazioni spaziali. Verranno presentate brevemente le condizioni che caratterizzano l'ambiente spaziale e i requisiti che la cella solare richiede per lavorare, in modo efficiente, in questo ambiente. Il modello teorico presentato ha lo scopo di determinare la massima efficienza teorica del dispositivo e di fornire le espressioni per le » -
Studio di eterogiunzioni fotovoltaiche realizzate per deposizione plasmochimica di silicio amorfo e microcristalino
Autore: Michele Del Giudice
Abstract: il settore fotovoltaico è in continua espansione; la ricerca è orientata verso tecnologie per nuovi materiali o già consolidati. Le celle in silicio costituiscono la maggioranza del mercato, tra cui emergono le eterogiunzioni. In questo lavoro sono stati realizzati dei dispositivi a eterogiunzione con PECVD, analizzando effetti di substrato, film e drogaggio; inoltre sono state effettuate catìratterizzazioni ottiche ed elettriche per valutarne le performance. » -
Analisi comparativa del comportamento di alimentatori a commutazione basati su diodi Schottky e correlazione con le caratteristiche dei singoli componenti.
Autore: Fabio Pasqua
Abstract: Questa tesi è il frutto del lavoro svolto presso una multinazionale americana. L'obiettivo principale è stato l'analisi del comportamento del diodo Schottky negli alimentatori di potenza. Questa tesi racchiude al suo interno due macro capitoli, uno relativo alla fisica dei semiconduttori ed in particolare sul diodo Schottky ed uno relativo agli alimentatori di potenza switching. Il capitolo finale raccoglie i dati ottenuti dalle misure di laboratorio e mostrano il comportamento dell' »
Contatta la redazione dalle 9:00 alle 18:30
da lunedì a venerdì - tel. 039 6188014