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Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici

Tesi di Laurea

Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali

Autore: Francesca Perissinotti Contatta »

Composta da 120 pagine.

 

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<br/><b>INTRODUZIONE</b> <br/> <br/><b>CAPITOLO 1 - Il Carburo di Silicio</b> <br/> 1.1 Introduzione<br/> 1.2 Struttura cristallina<br/> 1.2.1 Parametri di cella<br/> 1.2.2 Politipismo<br/> 1.3 Propriet&agrave; fisiche e chimiche<br/> 1.3.1 Temperatura di fusione e densit&agrave;<br/> 1.3.2 Struttura a bande<br/> 1.3.3 Conducibilit&agrave; termica<br/> 1.3.4 Tensione di breakdown<br/> 1.3.5 Mobilit&agrave; dei portatori<br/> 1.4 Applicazioni del SiC nell'elettronica<br/> <br/><b>Bibliografia</b> <br/> <br/><b>CAPITOLO 2 - Tecniche di crescita</b> <br/> 2.1 Introduzione<br/> 2.2 Crescita massiva<br/> 2.2.1 Processo Lely<br/> 2.2.2 Sublimazione (processo Lely modificato)<br/> 2.3 Crescita epitassiale<br/> </b>2.3.1 CVD (HTCVD)<br/> 2.3.2 Altre tecniche di crescita epitassiale (LPE, SE, MBE)<br/> 2.3.3 Drogaggio degli strati epitassiali<br/> <br/><b>Bibliografia</b> <br/> <br/><b>CAPITOLO 3 - Difetti nei cristalli</b> <br/> 3.1 Introduzione<br/> 3.2 Tipologie di difetti<br/> 3.2.1 Difetti puntuali<br/> 3.2.2 Difetti planari<br/> 3.3 Dislocazioni<br/> 3.3.1 Movimento di dislocazioni<br/> 3.4 Micropipes<br/> 3.4.1 Il modello di Frank<br/> 3.4.2 Formazione di micropipes<br/> 3.5 Inclusioni<br/> <br/><b>Bibliografia</b> <br/> <br/><b>CAPITOLO 4 - Tecniche di caratterizzazione</b> <br/> 4.1 Introduzione<br/> 4.2 Caratterizzazioni ottiche<br/> 4.2.1 Microscopio ottico<br/> 4.2.2 Micro-Raman<br/> 4.2.3 Fotoluminescenza<br/> 4.3 Caratterizzazioni meccaniche<br/> 4.3.1 Profilometro<br/> 4.3.2 Afm<br/> 4.4 Caratterizzazioni elettriche<br/> 4.4.1 Misure I-V<br/> 4.4.2 Misure C-V<br/> 4.5 Dal cristallo al dispositivo<br/> 4.5.1 Fabbricazione dei dispositivi<br/> <br/><b>Bibliografia</b> <br/> <br/><b>CAPITOLO 5 - Caratterizzazione dei difetti su SiC</b> <br/> 5.1 Introduzione<br/> 5.2 Campioni bulk<br/> 5.2.1 Micropipes<br/> 5.2.2 Striations<br/> 5.2.3 Inclusioni<br/> 5.2.4 Altri difetti<br/> 5.3 Campioni epitassiali<br/> 5.3.1 Micropipes<br/> 5.3.2 Comet<br/> 5.3.3 Etch pits<br/> 5.3.4 Superdislocazioni<br/> 5.3.5 Scanalature<br/> 5.3.6 Inclusioni<br/> 5.4 Correlazioni<br/> <br/><b>Bibliografia</b> <br/> <br/><b>CAPITOLO 6 - Misure sui dispositivi e conclusioni</b> <br/> 6.1 Introduzione<br/> 6.2 Misure elettriche<br/> 6.3 Considerazioni<br/> 6.3.1 Prospettive future<br/> <br/><b>Bibliografia</b> <br/>

Indice della Tesi di Francesca Perissinotti

Indice della tesi: Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici, Pagina 3