Skip to content

Crescita MOVPE e caratterizzazione di strutture epitassiali ZnTe/GaAs e ZnTe/ZnTe

In questo lavoro di tesi, dopo aver studiato le proprietà strutturali e morfologiche di strati omoepitassiali di ZnTe cresciuti sotto diverse condizioni (diverse temperature di crescita e diversi rapporti tra le concentrazioni dei precursori) sono state studiate le caratteristiche elettriche di strati eteroepitassiali non drogati di ZnTe su GaAs e confrontate con quelle di strati omoepitassiali non drogati al variare del rapporto delle concentrazioni dei precursori. Uno studio di questo tipo è necessario per poter stabilire le condizioni iniziali ottimali per affrontare il drogaggio di tipo n del materiale ed in seguito per implementare dispositivi a base di ZnTe che emettono nella regione spettrale del verde-giallo.
Il lavoro è strutturato nel seguente modo:
nel capitolo I, sono esposte le proprietà del tellururo di zinco con particolare attenzione per quelle elettroniche ed elettriche. Viene descritto inoltre il comportamento elettrico delle principali impurezze sostituzionali del materiale.
Nel capitolo II, viene richiamato il comportamento del contatto metallo-semiconduttore (p) all’equilibrio termodinamico e sotto polarizzazione. Per la misura delle proprietà elettriche del tellururo di zinco è infatti necessario studiare un contatto ohmico metallo-ZnTe(p).
Nel capitolo III, sono introdotti i principi dell’epitassia da fase vapore mediante precursori metallorganici (MOVPE) con particolare riguardo per gli aspetti termodinamici e ciniteci-fluidodinamici. Si vede come attraverso questo metodo è possibile crescere ad alte velocità materiali di alta qualità ed eterostrutture.
Nel capitolo IV, sono descritti gli apparati e le procedure sperimentali usati per la deposizione dei materiali: il reattore MOVPE per il tellururo di zinco con le procedure di preparazione dei substrati e di crescita, l’apparato per la deposizione dei contatti di tungsteno (cannone elettronico) e per il trattamento termico dei contatti (forno tubolare multi-zona).
Nel capitolo V, vengono descritti i diversi metodi di misura di resistività e mobilità ed in particolare il metodo Van der Pauw per la sua versatilità. È inoltre descritto l’apparato usato per le misure elettriche.
Nel capitolo VI, sono infine esposti e discussi i risultati sperimentali ottenuti che hanno portato all’individuazione delle condizioni migliori per la deposizione. Sono discusse anche le proprietà elettriche derivanti da misure di resistività e d’effetto Hall per le quali è stata studiata la realizzazione dei contatti ohmici W/ZnTe-p.
Nell’appendice, sono brevemente esposti altri metodi di caratterizzazione: la diffrattrometria di raggi X a doppio cristallo, la spettrometria di massa di ioni secondari e la microscopia elettronica a scansione.

CONSULTA INTEGRALMENTE QUESTA TESI

La consultazione è esclusivamente in formato digitale .PDF

Acquista
Mostra/Nascondi contenuto.
INTRODUZIONE Il tellururo di zinco (ZnTe) è un composto appartenente alla famiglia dei semiconduttori II-VI. Tali composti, costituiti da elementi del gruppo II e del gruppo VI, presentano le seguenti proprietà peculiari: (a) hanno sia grandi che strette “energy gap” tra gli estremi assoluti della banda di conduzione e della banda di valenza, e (b) gap dirette che danno alte probabilità di transizione ottica per l’assorbimento e la luminescenza. Questi materiali potrebbero essere la base per una varietà efficiente di dispositivi emettitori o rivelatori di radiazione che riguarda l’intero spettro visibile, l’infrarosso e l’ultravioletto (come indicato in figura 1). Le applicazioni tecnologiche spaziano dalla registrazione ottica, alla comunicazione, alla difesa, alle applicazioni scientifiche. Il recente successo nell’ottenere i primi laser blu-verde ha intensificato l’interesse nei composti II-VI con nuove ricerche sia sperimentali che teoriche. Nello stesso “range” di energia operano i nitruri degli elementi del gruppo III che hanno dato risultati promettenti: uno degli svantaggi nelle applicazioni in dispositivi basati sui III-N è la necessità di crescere su substrati di zaffiro isolanti per la mancanza di substrati “lattice matched” e ciò porta a notevoli problemi per poter contattare elettricamente i dispositivi (contatti elettrici laterali).

CONSULTA INTEGRALMENTE QUESTA TESI

La consultazione è esclusivamente in formato digitale .PDF

Acquista
Il miglior software antiplagio

L'unico servizio antiplagio competitivo nel prezzo che garantisce l'aiuto della nostra redazione nel controllo dei risultati.
Analisi sicura e anonima al 100%!
Ottieni un Certificato Antiplagio dopo la valutazione.

Informazioni tesi

  Autore: Pasquale Paiano
  Tipo: Tesi di Laurea
  Anno: 2001-02
  Università: Università degli Studi di Lecce
  Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali
  Corso: Fisica
  Relatore: Anna Maria Mancini
  Lingua: Italiano
  Num. pagine: 172

FAQ

Per consultare la tesi è necessario essere registrati e acquistare la consultazione integrale del file, al costo di 29,89€.
Il pagamento può essere effettuato tramite carta di credito/carta prepagata, PayPal, bonifico bancario.
Confermato il pagamento si potrà consultare i file esclusivamente in formato .PDF accedendo alla propria Home Personale. Si potrà quindi procedere a salvare o stampare il file.
Maggiori informazioni
Ingiustamente snobbata durante le ricerche bibliografiche, una tesi di laurea si rivela decisamente utile:
  • perché affronta un singolo argomento in modo sintetico e specifico come altri testi non fanno;
  • perché è un lavoro originale che si basa su una ricerca bibliografica accurata;
  • perché, a differenza di altri materiali che puoi reperire online, una tesi di laurea è stata verificata da un docente universitario e dalla commissione in sede d'esame. La nostra redazione inoltre controlla prima della pubblicazione la completezza dei materiali e, dal 2009, anche l'originalità della tesi attraverso il software antiplagio Compilatio.net.
  • L'utilizzo della consultazione integrale della tesi da parte dell'Utente che ne acquista il diritto è da considerarsi esclusivamente privato.
  • Nel caso in cui l’utente che consulta la tesi volesse citarne alcune parti, dovrà inserire correttamente la fonte, come si cita un qualsiasi altro testo di riferimento bibliografico.
  • L'Utente è l'unico ed esclusivo responsabile del materiale di cui acquista il diritto alla consultazione. Si impegna a non divulgare a mezzo stampa, editoria in genere, televisione, radio, Internet e/o qualsiasi altro mezzo divulgativo esistente o che venisse inventato, il contenuto della tesi che consulta o stralci della medesima. Verrà perseguito legalmente nel caso di riproduzione totale e/o parziale su qualsiasi mezzo e/o su qualsiasi supporto, nel caso di divulgazione nonché nel caso di ricavo economico derivante dallo sfruttamento del diritto acquisito.
L'obiettivo di Tesionline è quello di rendere accessibile a una platea il più possibile vasta il patrimonio di cultura e conoscenza contenuto nelle tesi.
Per raggiungerlo, è fondamentale superare la barriera rappresentata dalla lingua. Ecco perché cerchiamo persone disponibili ad effettuare la traduzione delle tesi pubblicate nel nostro sito.
Per tradurre questa tesi clicca qui »
Scopri come funziona »

DUBBI? Contattaci

Contatta la redazione a
[email protected]

Ci trovi su Skype (redazione_tesi)
dalle 9:00 alle 13:00

Oppure vieni a trovarci su

Parole chiave

effetto hall
eteroepitassia
mocvd
movpe
omoepitassia
w-znte
znte
epitassia
fisica dei semiconduttori
metodo di van der pauw

Tesi correlate


Non hai trovato quello che cercavi?


Abbiamo più di 45.000 Tesi di Laurea: cerca nel nostro database

Oppure consulta la sezione dedicata ad appunti universitari selezionati e pubblicati dalla nostra redazione

Ottimizza la tua ricerca:

  • individua con precisione le parole chiave specifiche della tua ricerca
  • elimina i termini non significativi (aggettivi, articoli, avverbi...)
  • se non hai risultati amplia la ricerca con termini via via più generici (ad esempio da "anziano oncologico" a "paziente oncologico")
  • utilizza la ricerca avanzata
  • utilizza gli operatori booleani (and, or, "")

Idee per la tesi?

Scopri le migliori tesi scelte da noi sugli argomenti recenti


Come si scrive una tesi di laurea?


A quale cattedra chiedere la tesi? Quale sarà il docente più disponibile? Quale l'argomento più interessante per me? ...e quale quello più interessante per il mondo del lavoro?

Scarica gratuitamente la nostra guida "Come si scrive una tesi di laurea" e iscriviti alla newsletter per ricevere consigli e materiale utile.


La tesi l'ho già scritta,
ora cosa ne faccio?


La tua tesi ti ha aiutato ad ottenere quel sudato titolo di studio, ma può darti molto di più: ti differenzia dai tuoi colleghi universitari, mostra i tuoi interessi ed è un lavoro di ricerca unico, che può essere utile anche ad altri.

Il nostro consiglio è di non sprecare tutto questo lavoro:

È ora di pubblicare la tesi