Punti quantici di InAs cresciuti su substrati di GaAs con orientazione non convenzionale

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Simone Fortina

• Autore della tesi: Punti quantici di InAs cresciuti su substrati di GaAs con orientazione non convenzionale ≫

Studi

• Laurea in Fisica
  conseguita presso Università degli Studi di Milano nell'anno 1997-98
  con una votazione di 110 e lode
  sostendendo i seguenti esami:

  Materia		Voto
  Geometria		30
  Analisi Matematica I		25
  Fisica Generale I		27
  Esperimentazioni di Fisica I		30
  Analisi II
  Meccanica Razionale		30
  Esperimentazioni di Fisica II
  Fisica Generale II		30
  Metodi Matematici della Fisica		22
  Laboratorio di Fisica I		30
  Istituzioni di Fisica Teorica		28
  Struttura della Materia		29
  Termodinamica di non Equilibrio		30
  Laboratorio di Fisica II
  Fisica delle Superifici
  Fisica dello Stato Solido
  ?
  Chimica Generale		30

• Diploma di maturità conseguito presso il Liceo scientifico
  con votazione 60/60°

Lingue straniere

• Inglese parlato e scritto: ottimo

Conoscenze informatiche

• Livello ottimo