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Analysis, Modelling and Application of Advanced Power Semiconductor Devices

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x devices are presented and discussed. Two methods are proposed for the short circuit protection of the high-side switch in a half-bridge configuration, which are the sensing resistor approach and the Hall effect sensing one. Besides, an undervoltage protection circuit devoted to rectifier systems based on IGBT devices is proposed and analyzed. The arguments faced in this thesis are the result of an extensive study conducted, in a period of three years, at the University of Catania-Italy, at the University of Illinois at Chicago, at the University of California, Irvine, and at STMicroelectronics, site of Catania, where the experiences acquired from different researchers and professors have been condensed in which is written in the following pages. I wish to express my thanks to Prof. Krishna Shenai, who put me up at the University of Illinois at Chicago, during my first year of Doctorate, at PERG (Power Electronics Research Group) and at MSRC (MicroSystems Research Center) labs, where I learned the use of advanced methodologies of analysis and modeling in the field of Power Devices. I also wish to thank Prof. Keyue Smedley for giving me the opportunity to join the Power Electronics Lab at the University of California, Irvine, where I completed the last part of my PhD course.

Anteprima della Tesi di Rosario Pagano

Anteprima della tesi: Analysis, Modelling and Application of Advanced Power Semiconductor Devices, Pagina 5

Tesi di Dottorato

Dipartimento: Dip. Ing. Elettrica Elettronica e dei Sistemi

Autore: Rosario Pagano Contatta »

Composta da 208 pagine.

 

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