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Memristor: teoria e applicazioni

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14 congiungente i due poli ed è attrattiva se i poli sono diversi (sud e nord), repulsiva se i poli sono uguali (nord-nord o sud-sud). Naturalmente, risulta evidente l’analogia di tale relazione con la legge di Coulomb, che esprime l’interazione fra cariche elettriche puntiformi. Come nel caso dei fenomeni elettrici, è conveniente descrivere l’interazione magnetica mediante un campo, chiamato B, che si comporta da intermediario. Nella situazione in esame, si può dire che un polo produce un campo magnetico B che, agendo su un secondo polo, esercita una forza su di esso. La struttura del campo può essere sperimentalmente studiata solo con l’ausilio di un ago magnetico la cui direzione è la direzione di B con il verso orientato dal polo sud al polo nord del magnete esploratore. Si constata che le linee di campo sono chiuse e, nel caso dei magneti, nascono sempre dal polo nord e terminano sul polo sud. In questo caso, i poli magnetici appaiono come le sorgenti di B. Il carattere solenoidale del campo risulta quindi direttamente connesso all’impossibilità di separare i due tipi di polo. Tale caratteristica viene espressa dalla relazione div B = 0 (1.14) Per una qualunque superficie chiusa S che contenga al proprio interno un ago magnetico, il numero delle linee uscenti uguaglia quello delle linee entranti. A ciò corrisponde la relazione s(B) = 0 (1.15) che, sotto opportune condizioni di regolarità del campo può essere espressa nella forma locale (1.14). Come detto, le ultime due equazioni mettono in evidenza le proprietà solenoidali di B. Legge della circuitazione di Ampère: Consideriamo dapprima un filo rettilineo molto lungo e due linee chiuse, una delle quali, detta l 1 , chiusa attorno al filo, e calcoliamo la circuitazione  dl B lungo entrambe le linee. Scelto un asse z diretto come il filo, con lo stesso verso della corrente, esplicitiamo sia B sia dl in forma vettoriale, utilizzando un sistema di coordinate cilindriche, avente come versori di base un versore radiale u r , un versore u t tangente alle circonferenze con centro sull’asse z e il versore k dell’asse z. Il campo prodotto dal filo in un punto a distanza r è pari a B = r 2 i 0   u t Mentre il generico elemento di linea dl può essere scritto come dl = dr u r + rd u t + dz k dove  rappresenta l’angolo inclinato di figura. Il prodotto scalare del campo magnetico per l’elemento dl risulta quindi Bdl = r 2 i 0   u t (dr u r + rd  u t + dz k) = r 2 i 0   rd     2 i 0 d   Il calcolo dell’integrale deve essere eseguito sulla variabile   i cui estremi risultano   e    nel caso della linea l 1 che circonda il filo, mentre nel caso della linea l 2 risultano entrambi   . Si ha quindi    L1 0 i dl B   L2 0 dl B
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Memristor: teoria e applicazioni

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Informazioni tesi

Autore: Luca Albertazzi
Tipo: Laurea liv.I
Anno: 2007-08
Università: Università degli Studi di Bologna
Facoltà: Ingegneria
Corso: Ingegneria dell'informazione
Relatore: RobertoDiversi
Lingua: Italiano
Num. pagine: 116

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Parole chiave

sistemi memristivi
memorie ultradense
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grafi di legame
elettromagnetismo
equazioni maxwell
nanotecnologie
memorie
memristor
teoria dei circuiti

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