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Crescita MOVPE e caratterizzazione di strutture epitassiali ZnTe/GaAs e ZnTe/ZnTe

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Introduzione __________________________________________________________________________________ 4 dell’eteroepitassia, implicano minore rendimento e tempo di vita dei dispositivi. Pertanto negli ultimi anni sono stati studiati soprattutto i sistemi omoepitassiali. Per le applicazioni, è necessario però uno studio approfondito del drogaggio n del tellururo di zinco: strati di tipo n sono necessari non solo per la semplice giunzione p-n ma anche per gli strati di rivestimento (cladding layer) in strutture a eterogiunzione. Il tellururo di zinco, contrariamente agli altri semiconduttori II-VI, è facilmente ottenuto di tipo p, mentre presenta notevoli problemi il raggiungimento di una conduttività di tipo n a causa dell’autocompensazione delle impurezze droganti da parte dei difetti nativi e della loro bassa solubilità. I primi risultati incoraggianti riguardanti il drogaggio n del tellururo di zinco sono stati ottenuti attraverso l’epitassia da fasci molecolari (MBE) mediante l’uso di cloro (celle di effusione di ZnCl 2 ) e di alluminio, e mediante l’epitassia da fase vapore da precursori metallorganici (MOVPE) con l’uso di composti dell’alluminio (trietilalluminio, TEAl, in particolare). Figura 2: Spettro di sensibilità dell’occhio umano: (a) sotto illuminazione media, (b) sotto illuminazione attenuata.

Anteprima della Tesi di Pasquale Paiano

Anteprima della tesi: Crescita MOVPE e caratterizzazione di strutture epitassiali ZnTe/GaAs e ZnTe/ZnTe, Pagina 4

Tesi di Laurea

Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali

Autore: Pasquale Paiano Contatta »

Composta da 172 pagine.

 

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Disponibile in PDF, la consultazione è esclusivamente in formato digitale.