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Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici

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Capitolo 1 – il Carburo di Silicio 4 CAPITOLO 1 Il Carburo di Silicio 1.1 Introduzione Sebbene possa essere considerato come il più elementare semiconduttore composto, le caratteristiche del carburo di silicio sono notevolmente differenti da quelle degli altri semiconduttori del gruppo IV; per questo lo studio fondamentale del materiale, la sintesi ed i processi del SiC, nonché le sue applicazioni ai dispositivi, pongono problematiche scientifiche e tecnologiche di tipo nuovo che verranno discusse nei capitoli successivi. In questo capitolo verranno invece analizzate le proprietà chimiche e fisiche che fanno del SiC un materiale molto interessante, la struttura cristallina che le determina e le possibili applicazioni come semiconduttore per l’elettronica.

Anteprima della Tesi di Francesca Perissinotti

Anteprima della tesi: Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici, Pagina 4

Tesi di Laurea

Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali

Autore: Francesca Perissinotti Contatta »

Composta da 120 pagine.

 

Questa tesi ha raggiunto 1560 click dal 20/03/2004.

 

Consultata integralmente 4 volte.

Disponibile in PDF, la consultazione è esclusivamente in formato digitale.