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Simulazione di Mosfet Silicon on Insulator a canale ultrasottile

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workstation, dove il consumo di potenza e di secondaria importanza rispet-to alla velocita, si e indirizzata verso i PD-SOI, dove si raggiungono elevatecorrenti di conduzione e quindi elevate velocita[9].Proprio confrontando lecaratteristiche, riportate in tabella 1.1 [7], relative al microprocessore IBM64-bit PowerPC costruito sia con tecnologia classica che SOI, ci rendiamoconto del passo in avanti fatto grazie alla seconda:Bulk SOI SOI0.22 m 0.22 m 0.18 mFrequenza clock (MHz) 450 550 650Tensione applicata (V) 1.8 1.8 1.5Transistor 34 M 34 M 44 MPotenza (W) 22 24 18Tabella 1.1: Caratteristiche di un microprocessore IBM 64-bit PowerPC fab-bricato sia in tecnologia bulk che SOI. Anno di messa in produzione 1998.[7]. Abbiamo sin qui descritto i vantaggi della tecnologia SOI rispetto a quellaclassica, quando le dimensioni diventano nanometriche. Ci chiediamo allora,visto che l'innovazione non e cos radicale, \e bastato aggiungere un po diossido", il motivo della sua tardiva introduzione [6]. Fino a pochi anni fa, ibulk soddisfacevano a pieno le esigenze e quindi gli investimenti venivano fattiin quella direzione: non si rischiavadiintraprendere una via nuova, quando lavecchia dava ottimi risultati [7]. Ancora oggi INTEL, leader mondiale nellaproduzione di microprocessori, continua a considerare la tecnologia classicala migliore e la piu aÆdabile [6]. E molto diÆcile inoltre, crescere silicio su unmateriale diverso, visto che le proprieta cristalline, come la costante reticolaread esempio, sono diverse [7]. E stato provato lo zaÆro (Silicon on Sapphire)[8], dotato di proprieta cristalline analoghe al silicio, ma non ha avuto moltosuccesso visto i numerosi difetti che presentava. Dopo aver provato molti altrimateriali, si e arrivati a quello che e impiegato adesso e cioe il biossido di11
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Informazioni tesi

  Autore: Cristiano Berti
  Tipo: Tesi di Laurea
  Anno: 2001-02
  Università: Università degli Studi di Pisa
  Facoltà: Ingegneria
  Corso: Ingegneria Elettronica
  Relatore: Giuseppe Iannaccone
  Lingua: Italiano
  Num. pagine: 183

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microelettronica
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