Assegno di ricerca, Università degli Studi di Firenze:

Processi di rilassamento ultraveloce in nanostrutture di semiconduttori

E' indetta una selezione a n. 1 assegno annuale per collaborazione ad attività di ricerca sul tema
"Processi di rilassamento ultraveloce in nanostrutture di semiconduttori", presso il Dipartimento di Fisica dell'Università degli Studi di Firenze. Requisiti: Dottorato o Diploma di laurea e curriculum idoneo. L'importo è di € 13.000.
Allegato 1 - elenco degli assegni

Scade il: 05 settembre 2003

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