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Progetto e realizzazione delle reti di adattamento per un amplificatore di potenza classe AB in banda 1.8 – 2.0 GHz

Informazioni tesi

  Autore: Fabio Bernardo
  Tipo: Tesi di Laurea Magistrale
  Anno: 2009-10
  Università: Politecnico di Torino
  Facoltà: Ingegneria
  Corso: Ingegneria Elettronica
  Relatore: Andrea Ferrero
  Lingua: Italiano
  Num. pagine: 96

Questa tesi è disponibile nelle seguenti traduzioni:

Questo progetto è dato dalla collaborazione tra il Politecnico di Torino e la compagnia olandese NXP Semiconductors, ed è stato svolto direttamente in azienda. La seguente tesi documenta la progettazione, l’implementazione, il test ed il tuning di un amplificatore di potenza a radiofrequenza in Classe AB, operante in una banda tra 1.8 – 2.0 GHz, per applicazioni Base Station (ripetitore di segnale per telefonia cellulare). Il dispositivo utilizzato è un LDMOS (Lateral Diffused MOS) della NXP (BLF7G20LS-110).
Inizialmente, questa tesi argomenta i più importanti concetti inerenti un sistema di comunicazione wireless (Capitolo 1), seguiti dalle principali caratteristiche per un amplificatore di potenza (Capitolo 2). Il fulcro di questo progetto è stata la progettazione e il miglioramento delle reti di adattamento per l’amplificatore suddetto. Il lavoro di tesi è basato sulle simulazioni effettuate attraverso il software ADS dell’Agilent, seguendo inizialmente un approccio broadband (Capitolo 3) e successivamente un approccio narrowband (Capitolo 4). I risultati delle simulazioni hanno portato all’implementazione fisica del progetto, partendo dai Layout, fino all’assemblaggio delle reti. Infine, i circuiti sono stati ridefiniti per migliorarne le prestazioni attraverso alcune fasi di test e di tuning (Capitolo 5).

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Introduzione I Introduzione Questo progetto è dato dalla collaborazione tra il Politecnico di Torino e la compagnia olandese NXP Semiconductors, ed è stato svolto direttamente in azienda. La seguente tesi documenta la progettazione, implementazione, il test ed il tuning di un amplificatore di potenza a radiofrequenza in Classe AB, operante in una banda tra 1.8 2.0 GHz, per applicazioni Base Station (ripetitore di segnale per telefonia cellulare). Il dispositivo utilizzato è un LDMOS (Lateral Diffused MOS) della NXP (BLF7G20LS-110). Inizialmente, questa tesi argomenta i più importanti concetti inerenti un sistema di comunicazione wireless (Capitolo 1), seguiti dalle principali caratteristiche per un amplificatore di potenza (Capitolo 2). Il fulcro di questo progetto è stata la progettazione e il miglioramento delle reti di adattamento Il lavoro di tesi è basato sulle simulazioni effettuate attraverso il software , seguendo inizialmente un approccio broadband (Capitolo 3) e successivamente un approccio narrowband (Capitolo 4). I risultati delle simulazioni hanno portato implementazione fisica del progetto, partendo dai Layout, fino all reti. Infine, i circuiti sono stati ridefiniti per migliorarne le prestazioni attraverso alcune fasi di test e di tuning (Capitolo 5).

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Parole chiave

microstrip
rf
layout
power amplifier
nxp
high frequency
base station application
network matching
class ab

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