Analisi e progettazione di un circuito di sensing per memorie rad-hard

Questa tesi tratta dello studio di un circuito di sensing di una memoria non volatile per applicazioni aerospaziali. Il circuito serve per confrontare la differenza tra la corrente di una cella di memoria selezionata e la corrente di riferimento locale; normalmente si assume che la cella di riferimento non sia programmata.
Anche se in linea di principio si potrebbe pensare di leggere semplicemente il valore della corrente della cella selezionata, in realtà é necessario introdurre questo meccanismo di lettura differenziale poiché le condizioni di funzionamento dei dispositivi a semiconduttore possono variare a seconda della zona di silicio in cui si trovano. Spieghiamo meglio: alcune zone della memoria potrebbero essere più conduttive, altre meno; non sarebbe possibile quindi assumere un valore di riferimento standard per determinare in modo efficace l'uscita del valore letto, dal momento che una cella di memoria programmata potrebbe avrebbe un valore di corrente molto diverso da un'altra cella, sempre programmata, ma situata in un'altra zona.