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Analysis, Modelling and Application of Advanced Power Semiconductor Devices

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10 voltage CE V , the temperature coefficient of the device current has a sign which is dependent on the prevalence of the MOSFET contribution or the bipolar one. As an example, the static curve with GE V =17 V has been determined at two different junction temperatures (namely j T =25 °C, and j T =125 °C) and the results are shown in Fig. 1.9.a), where the cross point of the characteristics has been pointed out, thus showing the change of the temperature coefficient from positive to negative value. If the device is let to operate at GE V =15 V, prescinding from the collector voltage value, a positive temperature coefficient, as reported in Fig. 1.9.b), is to be expected. That means the trace of the collector current at 125 °C is higher than the one at 25 °C. When the gate- emitter increases over the designed value, the inversion of the temperature coefficient occurs, leading to a reduction of the current level [10]. a) b) Fig. 1.9. Traces of the static characteristics at two different junction temperatures showing the negative and positive values of the temperature coefficient: a) V GE =17 V, b) V GE =15 V. The experimental tests have been carried out in several operative conditions by means of the laboratory circuit reported in Fig. 1.8.a).

Anteprima della Tesi di Rosario Pagano

Anteprima della tesi: Analysis, Modelling and Application of Advanced Power Semiconductor Devices, Pagina 15

Tesi di Dottorato

Dipartimento: Dip. Ing. Elettrica Elettronica e dei Sistemi

Autore: Rosario Pagano Contatta »

Composta da 208 pagine.

 

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