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Celle solari ad alta efficienza in GaAs per applicazioni spaziali

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Figura 1.3: Bande di energia in un isolante, semiconduttore ed un cristallo [21] elettrone ha una probabilita` piccola ma finita di uscire dalla buca di poten- ziale corrispondente al legame covalente e trovarsi nel reticolo, disponibile come elettrone di conduzione (Figura 1.5b). Per ogni elettrone che abban- dona il proprio legame covalente si formano due cariche libere: una carica negativa (l’elettrone) ed una positiva (la lacuna, cioe` la carica positiva rimasta scoperta nel reticolo a seguito dell’allontanamento dell’elettrone). Le lacune sono portatori di carica a tutti gli effetti e danno un contributo al trasporto di carica indipendente da quello degli elettroni di conduzione. In realta`sono sempre gli elettroni che si muovono, ma poiche` si tratta di elettroni di valenza questo meccanismo fornisce un movimento di carica indipendente da quello degli elettroni di conduzione. Lacune ed elettroni si generano continuamente a coppie in seguito alla rottura di legami covalenti per effetto della agitazione termica e scompaiono a coppie, quando una lacuna ed un elettrone si ricom- binano a riformare un legame covalente. Di conseguenza nel semiconduttore intrinseco (cioe` non drogato, come si vedra`pi`u avanti) la concentrazione delle lacune (p) sara` sempre eguale a quella degli elettroni (n). Il valore n i di p ed n, detto concentrazione intrinseca, e` determinato dall’equilibrio dinamico tra generazione e ricombinazione e dipende dalle caratteristiche del materiale semiconduttore e dalla temperatura T[18]: n 2 i = n 2 = p 2 = BT 3 e E g /kT (1.1) dove E g e` l’energia di rottura di un legame covalente, k la costante di Boltzmann e B una costante caratteristica del materiale. La concentrazione intrinseca n i aumenta rapidamente con la temperatura e questo aumento e` la causa della forte diminuzione della resistivita` dei semiconduttori con 17
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Celle solari ad alta efficienza in GaAs per applicazioni spaziali

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Informazioni tesi

Autore: Cosimo Lacava
Tipo: Laurea liv.I
Anno: 2007-08
Università: Politecnico di Bari
Facoltà: Ingegneria
Corso: Ingegneria dell'informazione
Relatore: FrancescoDeLeonardis
Lingua: Italiano
Num. pagine: 127

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Parole chiave

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applicazioni spaziali
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