Analisi delle prestazioni di rumore di HEMT per microonde al variare della temperatura e della polarizzazione mediante modellistica

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8 Gli elementi fondamentali che compongono il circuito intrinseco sono : un gruppo RC serie in ingresso, un generatore di corrente pilotato in tensione, un gruppo RC parallelo in uscita e una capacità di accoppiamento tra ingresso e uscita. La capacità di ingresso C gs rappresenta la carica immagazzinata nella zona di svuotamento sotto il gate ed è determinata fondamentalmente dalla variazione di tensione tra gate e source, la resistenza R i rappresenta la resistenza intrinseca che offre il canale, la capacità C gd rappresenta la carica immagazzinata nella zona di svuotamento laterale compresa nella regione tra gate e drain. Il generatore di corrente pilotato dalla tensione presente ai capi della C gs tiene conto del fatto che la corrente che scorre nel canale è modulata dalla tensione di gate attraverso la profondità dello strato di svuotamento del canale stesso, il fattore di ritardo τ, invece, tiene conto del ritardo dovuto al tempo di transito dei portatori nel canale, e di quello introdotto dal segnale quando si propaga lungo il gate, avente dimensioni non più trascurabili dati i valori di frequenza in giuoco. La capacità di uscita C o , infine, schematizza l’accoppiamento elettrico presente tra drain e source, mentre la resistenza di uscita R o la conduzione che si ha al di fuori del canale. Inoltre le resistenze R d ed R s schematizzano il contatto ohmico di drain e di source e le cadute di tensione esistenti tra i due terminali e la regione attiva del canale, mentre la R g rappresenta la resistenza di metallizzazione offerta dal gate. Volendo determinare un modello maggiormente accurato del dispositivo in chip si dovrebbero considerare anche tutte quelle capacità schematizzanti gli accoppiamenti di campo elettrico che si vengono a formare tra i terminali del dispositivo stesso, in quanto sottoposti a differenti valori di potenziale, come illustrato in Fig. 1.3 .

Anteprima della Tesi di Flavio Di Prima

Anteprima della tesi: Analisi delle prestazioni di rumore di HEMT per microonde al variare della temperatura e della polarizzazione mediante modellistica, Pagina 5

Tesi di Laurea

Facoltà: Ingegneria

Autore: Flavio Di Prima Contatta »

Composta da 76 pagine.

 

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