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Crescita MOVPE e caratterizzazione di strutture epitassiali ZnTe/GaAs e ZnTe/ZnTe

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Introduzione __________________________________________________________________________________ 2 Il maggiore impedimento tecnologico nello sviluppo dei dispositivi emettitori di radiazione basati sui composti II-VI è la necessità di avere strati drogati di entrambi i tipi: solo il CdTe può essere drogato efficientemente di tipo n e di tipo p. Quindi i composti II-VI ad ampia gap vincerebbero la competizione nelle applicazioni optoelettroniche se si potesse produrre una efficiente giunzione p-n. Infatti i principali vantaggi di questi materiali da un punto di vista tecnologico sono: ξ la possibilità di essere prodotti ad un alto standard di purezza da materiali poco costosi e facilmente disponibili; ξ la stabilità delle loro superfici ed interfacce; Figura 1: Andamento dell’energy gap dei composti II-VI in funzione della costante reticolare.

Anteprima della Tesi di Pasquale Paiano

Anteprima della tesi: Crescita MOVPE e caratterizzazione di strutture epitassiali ZnTe/GaAs e ZnTe/ZnTe, Pagina 2

Tesi di Laurea

Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali

Autore: Pasquale Paiano Contatta »

Composta da 172 pagine.

 

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Disponibile in PDF, la consultazione è esclusivamente in formato digitale.