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Crescita MOVPE e caratterizzazione di strutture epitassiali ZnTe/GaAs e ZnTe/ZnTe

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Introduzione __________________________________________________________________________________ 6 ξ lo strato attivo del dispositivo a base di Zn 0.82 Cd 0.18 Te non drogato dello spessore di 10nm; ξ un altro strato intermedio di ZnTe non drogato di 50nm; ξ un “cladding layer” di tipo n di ZnTe drogato con cloro dello spessore di 200nm; ξ sette coppie di quantum well multiple n-CdSe/n-ZnTe “graded gap” (per il seleniuro di cadmio lo spessore è stato variato tra 0.3 e 1.7nm, per il tellururo di zinco lo spessore è di 2nm); ξ lo strato di contatto di CdSe di tipo n + drogato con cloro. In tale dispositivo è stato scelto il CdSe di tipo n + come strato di contatto a causa della sua alta affinità elettronica (4.7 eV) che permette un contatto ohmico con metalli standard come l’oro. Lo strato con quantum well multiple CdSe/ZnTe è stato introdotto per ridurre la barriera elettronica (1.2 eV) indotta dalla grande differenza delle bande di conduzione del seleniuro di cadmio e del tellururo di zinco. Per poter fabbricare una tale dispositivo mediante MOVPE è necessario un controllo accurato del drogaggio di tipo n del tellururo di zinco. Gli studi riguardanti questa problematica non sono ancora definitivi e soprattutto i risultati non sono completamente riproducibili. In questo lavoro di tesi, dopo aver studiato le proprietà strutturali e morfologiche di strati omoepitassiali di ZnTe cresciuti sotto diverse condizioni (diverse temperature di crescita e diversi rapporti tra le concentrazioni dei precursori) sono state studiate le caratteristiche elettriche di strati eteroepitassiali non drogati di ZnTe su GaAs e confrontate con quelle di strati omoepitassiali non drogati al variare del rapporto delle concentrazioni dei precursori. Uno studio di questo tipo è necessario per poter stabilire le condizioni iniziali ottimali per affrontare il drogaggio di tipo n del materiale. Il lavoro è strutturato nel seguente modo: ξ nel capitolo I, sono esposte le proprietà del tellururo di zinco con particolare attenzione per quelle elettroniche ed elettriche. Viene descritto inoltre il
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Informazioni tesi

  Autore: Pasquale Paiano
  Tipo: Tesi di Laurea
  Anno: 2001-02
  Università: Università degli Studi di Lecce
  Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali
  Corso: Fisica
  Relatore: Anna Maria Mancini
  Lingua: Italiano
  Num. pagine: 172

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