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Crescita MOVPE e caratterizzazione di strutture epitassiali ZnTe/GaAs e ZnTe/ZnTe

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Introduzione __________________________________________________________________________________ 6 ξ lo strato attivo del dispositivo a base di Zn 0.82 Cd 0.18 Te non drogato dello spessore di 10nm; ξ un altro strato intermedio di ZnTe non drogato di 50nm; ξ un “cladding layer” di tipo n di ZnTe drogato con cloro dello spessore di 200nm; ξ sette coppie di quantum well multiple n-CdSe/n-ZnTe “graded gap” (per il seleniuro di cadmio lo spessore è stato variato tra 0.3 e 1.7nm, per il tellururo di zinco lo spessore è di 2nm); ξ lo strato di contatto di CdSe di tipo n + drogato con cloro. In tale dispositivo è stato scelto il CdSe di tipo n + come strato di contatto a causa della sua alta affinità elettronica (4.7 eV) che permette un contatto ohmico con metalli standard come l’oro. Lo strato con quantum well multiple CdSe/ZnTe è stato introdotto per ridurre la barriera elettronica (1.2 eV) indotta dalla grande differenza delle bande di conduzione del seleniuro di cadmio e del tellururo di zinco. Per poter fabbricare una tale dispositivo mediante MOVPE è necessario un controllo accurato del drogaggio di tipo n del tellururo di zinco. Gli studi riguardanti questa problematica non sono ancora definitivi e soprattutto i risultati non sono completamente riproducibili. In questo lavoro di tesi, dopo aver studiato le proprietà strutturali e morfologiche di strati omoepitassiali di ZnTe cresciuti sotto diverse condizioni (diverse temperature di crescita e diversi rapporti tra le concentrazioni dei precursori) sono state studiate le caratteristiche elettriche di strati eteroepitassiali non drogati di ZnTe su GaAs e confrontate con quelle di strati omoepitassiali non drogati al variare del rapporto delle concentrazioni dei precursori. Uno studio di questo tipo è necessario per poter stabilire le condizioni iniziali ottimali per affrontare il drogaggio di tipo n del materiale. Il lavoro è strutturato nel seguente modo: ξ nel capitolo I, sono esposte le proprietà del tellururo di zinco con particolare attenzione per quelle elettroniche ed elettriche. Viene descritto inoltre il

Anteprima della Tesi di Pasquale Paiano

Anteprima della tesi: Crescita MOVPE e caratterizzazione di strutture epitassiali ZnTe/GaAs e ZnTe/ZnTe, Pagina 6

Tesi di Laurea

Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali

Autore: Pasquale Paiano Contatta »

Composta da 172 pagine.

 

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