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Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici

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- Introduzione - 1 INTRODUZIONE Il carburo di silicio ha destato negli ultimi anni un interesse sempre crescente poiché presenta delle caratteristiche che ne fanno un materiale con ottime potenzialità per applicazioni nell’elettronica ad alta temperatura, alta tensione, alta frequenza ed alta potenza. L’elevata conducibilità termica consente una veloce ed efficace dispersione di calore, aumentando le potenzialità di miniaturizzazione dei dispositivi e diminuendo i costi di raffreddamento, l’alta velocità di drift comporta alte velocità di commutazione, favorevoli alle applicazioni ad alta frequenza, mentre l’alto potenziale di breakdown determina una maggiore durata dei dispositivi sottoposti al passaggio di correnti elevate. La grande energia di legame tra carbonio e silicio, inoltre, rende il SiC resistente ad attacchi chimici e radiazioni, quindi ideale per lavorare in condizioni ostili. Queste straordinarie caratteristiche aprono la strada ad una nuova generazione di dispositivi elettronici che possono operare fino a temperature non raggiungibili con semiconduttori tradizionali, fornendo la possibilità di trovare soluzioni efficaci e meno costose di quelle attuali. Gli elementi chiave per lo sviluppo dei dispositivi su carburo di silicio sono i substrati, il cui costante miglioramento alimenta il crescente interesse sul materiale. Risulta

Anteprima della Tesi di Francesca Perissinotti

Anteprima della tesi: Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici, Pagina 1

Tesi di Laurea

Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali

Autore: Francesca Perissinotti Contatta »

Composta da 120 pagine.

 

Questa tesi ha raggiunto 1559 click dal 20/03/2004.

 

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Disponibile in PDF, la consultazione è esclusivamente in formato digitale.