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Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici

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Capitolo 1 – il Carburo di Silicio 6 Tab. 1.1 Parametri di cella di alcuni politipi di SiC 1.2.2 Politipismo Il Politipismo è un particolare tipo di polimorfismo che si riscontra in alcune strutture ad impacchettamento compatto. In questo fenomeno due dimensioni della cella unitaria rimangono costanti per ogni politipo, mentre la terza dimensione è un multiplo intero variabile di una unità perpendicolare al piano con la maggiore densità di atomi. Il carburo di silicio possiede una grande varietà di politipi: sono stati trovati più di 170 differenti ordini di successione per i bistrati Si-C nella direzione dell’asse c. A seconda della successione si possono avere diversi tipi di simmetrie cristalline, ad esempio una struttura cubica analoga alla Zincoblenda o una struttura esagonale (figura 1.2). Politipo Parametri di cella in Å 3C a = 4.3596 - 2H a = 3.0763 c = 5.0480 4H a = 3.0730 c = 10.053 6H a = 3.0806 c = 15.1173 15R a = 12.691 ??????????’ Fig. 1.2 Rappresentazione schematica delle strutture cubica ed esagonale per il SiC

Anteprima della Tesi di Francesca Perissinotti

Anteprima della tesi: Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici, Pagina 6

Tesi di Laurea

Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali

Autore: Francesca Perissinotti Contatta »

Composta da 120 pagine.

 

Questa tesi ha raggiunto 1559 click dal 20/03/2004.

 

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Disponibile in PDF, la consultazione è esclusivamente in formato digitale.