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Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici

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Capitolo 1 – il Carburo di Silicio 7 Nella notazione comunemente utilizzata, le lettere C, H ed R rappresentano rispettivamente le strutture cubica, esagonale e romboedrica, mentre il numero posto prima della lettera fornisce il numero di strati ad impacchettamento compatto presenti nella sequenza che si ripete lungo l'asse c. I politipi più comuni sono 3C, 6H, 4H, ma si trovano tracce anche di 15R, 2H e 21R; tutti gli altri politipi sono combinazioni di queste sequenze base. In figura 1.3 è riportata, come esempio, la struttura schematizzata del 6H-SiC; è possibile vedere come, nella successione di bistrati Si-C che determina la sequenza del politipo, sono indicati con le lettere h e k due tipi di bistrati non equivalenti, la cui differenza è dovuta alla posizione reciproca. Si può osservare anche come sia possibile terminare una faccia con atomi di Si o di C, fattore che comporta diversi tipi di reattività delle superfici. Fig. 1.3 Schema della sezione del politipo 6H lungo il piano [1120]

Anteprima della Tesi di Francesca Perissinotti

Anteprima della tesi: Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici, Pagina 7

Tesi di Laurea

Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali

Autore: Francesca Perissinotti Contatta »

Composta da 120 pagine.

 

Questa tesi ha raggiunto 1560 click dal 20/03/2004.

 

Consultata integralmente 4 volte.

Disponibile in PDF, la consultazione è esclusivamente in formato digitale.