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Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici

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Capitolo 1 – il Carburo di Silicio 8 1.3 Proprietà fisiche e chimiche Come si è visto precedentemente, nel SiC il numero di atomi per cella unitaria varia da un politipo all'altro, influenzando in tal modo il numero dei livelli elettronici e vibrazionali che caratterizzano il materiale. Questa differenza della struttura a bande, sia elettronica che vibrazionale, è la causa delle diverse proprietà fisiche tra i politipi. Diversamente, le proprietà chimiche non presentano variazioni significative poiché la composizione del materiale rimane invariata. Si GaAs 6H-SiC 4H-SiC 3C-SiC Bandgap (eV) 1.1 ind 1.42 3.0 ind 3.2 ind 2.4 ind Velocità di Saturaz. Elettr. x 106 [cm s-1] 10 10 20 20 22 Mobilità degli elettroni [cm2 V-1 s-1] 1100 6000 370 800 1000 Mobilità delle lacune [cm2 V-1 s-1] 420 320 90 120 50 Tensione di breakdown [MV cm-1] 0.3 0.6 3.02 3 >1.5 Conducibilità termica [W cm-1 K-1] 1.5 0.46 3.2 3.7 5.0 Durezza [kg/mm2] 1000 600 - 2130 3980 Nella tabella 1.2 sono riportati i valori delle principali proprietà fisiche di alcuni politipi del SiC, confrontati con quelli relativi ad altri materiali. 1.3.1 Temperatura di fusione e densità Il carburo di silicio non fonde a pressione atmosferica, né a pressioni più elevate, ma sublima a temperature superiori a circa 1800 °C. La densità, determinata sperimentalmente, varia da politipo a politipo; per 3C, 4H e 6H i valori ottenuti non si discostano molto da 3.21 g/cm3. Tab. 1.2 Proprietà dei più comuni politipi di SiC a confronto con Si e GaAs

Anteprima della Tesi di Francesca Perissinotti

Anteprima della tesi: Analisi morfologica di difetti su carburo di silicio per applicazioni su dispositivi elettronici, Pagina 8

Tesi di Laurea

Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali

Autore: Francesca Perissinotti Contatta »

Composta da 120 pagine.

 

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Disponibile in PDF, la consultazione è esclusivamente in formato digitale.