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Analisi di quantum dots mediante microscopia Ns-Afm

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Anteprima della tesi: Analisi di quantum dots mediante microscopia Ns-Afm, Pagina 1
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Introduzione 
Sin dall'anno dell'invenzione del transistor (1947) l'interesse per i materiali 
semiconduttori è stato sempre crescente. Essi sono stati oggetto di numerosi studi ed 
hanno dato vita ad un'intera industria. Mentre al centro dell'interesse industriale 
rimane soprattutto uno di questi materiali, il silicio, le cui numerose applicazioni 
hanno dimostrato una grande vitalità, la ricerca scientifica sui semiconduttori si è 
spostata prevalentemente sulle strutture composte da differenti materiali 
semiconduttori, dette eterostrutture. 
In queste strutture si ha soprattutto un grande vantaggio costituito dal fatto che 
l'interazione tra i diversi materiali genera delle caratteristiche che non possono essere 
ottenute con l'uso di un singolo materiale. Tra le più sofisticate di queste strutture 
sono i quantum dots, nanostrutture in cui i portatori di carica sono confinati in ogni 
dimensione su lunghezze paragonabili alla loro lunghezza d'onda di De Broglie. 
Lo stato attuale della ricerca è appunto la studio delle proprietà dei quantum dots e 
delle modalità possibili per ottenerne insiemi il più possibile uniformi. Dal punto di 
vista pratico, i quantum dots potrebbero essere usati per la costruzioni di laser ed altri 
dispositivi optoelettronici a basso consumo, alta efficienza e capaci di operare in una 
vasta gamma di temperature. 
L'interesse scientifico di tali eterostrutture in grado di confinare i portatori in tre 
dimensioni consiste nella possibilità di analizzare fenomeni elettronici, ottici e 
magnetici tipicamente quantistici. Oltre a questo, la manipolazione diretta di singoli 
elettroni confinati apre le porte ad una estensione naturale della microelettronica detta 
nanoelettronica che promette, oltre alla logica evoluzione nelle capacità 

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Analisi di quantum dots mediante microscopia Ns-Afm

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Informazioni tesi

  Autore: Sergio Capoleoni
  Tipo: Tesi di Laurea
  Anno: 1999-00
  Università: Università degli Studi di Roma La Sapienza
  Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali
  Corso: Fisica
  Relatore: Carlo Coluzza
  Lingua: Italiano
  Num. pagine: 137

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Parole chiave

eterostrutture
inas
nanostrutture
punti quantici
quantum dots
semiconduttori

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