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Effetti del danneggiamento da radiazione ionizzante sulle caratteristiche elettriche e di rumore di transistori Cmos

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Anteprima della tesi: Effetti del danneggiamento da radiazione ionizzante sulle caratteristiche elettriche e di rumore di transistori Cmos, Pagina 1
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Capitolo  1 
 
Introduzione 
 
La fisica delle alte energie necessita in generale di un ingente supporto di 
circuiti elettronici, principalmente per la rivelazione degli eventi di interesse 
mediante l�elaborazione dei segnali risultanti. Al Laboratorio Europeo per la 
Fisica delle Particelle (il CERN), presso Ginevra, si sta attualmente lavorando per 
la realizzazione di un nuovo collisionatore di particelle, denominato LHC (Large 
Hadron Collider), per lo studio di urti tra protoni o tra ioni pesanti, portati ad 
altissime energie. Al fine di poter studiare i prodotti di tali collisioni si stanno 
realizzando dei sofisticati sistemi di rivelazione. Lo schema di uno di questi, CMS 
(Compact Muon Solenoid), dedicato allo studio delle collisioni protone-protone, � 
rappresentato in figura 1.1 [1]. Si tratta essenzialmente di una serie di rivelatori 
cilindrici coassiali che hanno lo stesso asse del fascio di particelle, chiusi alle 
estremit� da due �tappi�, anch�essi composti da rivelatori. La parte centrale 
(Tracker) permette di rivelare la traiettoria delle particelle prodotte dalle 
collisioni, mentre i rivelatori che lo circondano (detti calorimetri), composti da 
materiali pesanti, servono per assorbire, e quindi misurare, la loro energia. I 
rivelatori pi� esterni, la camere a muoni, devono rivelare il passaggio di tali 
particelle, e forniscono il trigger dell�esperimento. La frequenza delle collisioni � 
fissata dalla distanza temporale tra i pacchetti di particelle in LHC, 25 ns, ed � pari 
a 40 MHz. 
 
Attualmente i segnali forniti da un singolo rivelatore sono di tipo elettrico e 
necessitano per la lettura di catene elettroniche, un cui tipico schema � 
rappresentato in figura 1.2 [2]. Tali circuiti (spesso detti di front-end), o comunque 
almeno il preamplificatore e il formatore, devono venire localizzati nelle  
immediate  

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Effetti del danneggiamento da radiazione ionizzante sulle caratteristiche elettriche e di rumore di transistori Cmos

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Informazioni tesi

  Autore: Stefano Florian
  Tipo: Tesi di Laurea
  Anno: 1998-99
  Università: Università degli Studi di Padova
  Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali
  Corso: Fisica
  Relatore: Bisello Dario
  Lingua: Italiano
  Num. pagine: 141

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Parole chiave

ambienti radioattivi
circuiti elettronici integrati
dispositivi resistenti alle radiazioni
effetti delle radiazioni
radiazioni ionizzanti
rumore elettrico
transistori cmos

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