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Effetti non lineari in guide d'onda SLOT con nanocristalli di silicio

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Anteprima della tesi: Effetti non lineari in guide d'onda SLOT con nanocristalli di silicio, Pagina 15
10Silicon Photonics
Figura 1.6: Fotorivelatore basato su una guida SiGe[26]
1xx
reale dell’indice di rifrazione inducendo uno shift di fase. Tale dierenza vie-
8
ne poi convertita in modulazione di intensit a utilizzando un classico MZI.
Le prestazioni di questi dispositivi non sono ancora comparabili con i con-
correnti in LiNbOo in materiali del gruppo III-V e necessitano di ulteriori
3
miglioramenti. Unico vantaggio a favore dei dispositivi modulanti in silicio
resta il costo, notevolmente pi u basso, a causa di motivazioni gi a espresse in
precedenza.
Fotorivelatori
Il silicio risulta un buon materiale rivelatore in un range che va dai 400nm
no ai 1000 nm circa. Tuttavia i maggiori sistemi in cui si vuole utilizzare la
tecnologia fotonica lavorano nel medio infrarosso o comunque nelle lunghezze
d’onda relative alle comunicazioni ottiche (850, 1330 e 1550 nm). In questa
area dello spettro elettromagnetico il silicio non  e un rivelatore a causa del
valore di band gap che lo contraddistingue. Il primo approccio possibile, per
migliorare le caratteristiche del dispositivo,  e quello di introdurre germanio
nella struttura in modo da diminuire il valore di band gap ed aumentare il
range di valori rivelabili [26]. Una possibile struttura ottimizzata  e mostrata
in gura 1.6.
I problemi principali con questo tipo di struttura sono: 1) difetti nel reticolo
cristallino creati dalla dierenza di costanti reticolari tra Si eGe che aumen-
tano le correnti di perdita nella struttura pin (leakege current); 2) dicolt a
nell’ottenere basse correnti di buio (dark current) a causa della struttura
chimica del germanio.
8
Mach Zender Interferometer
Sitografia automatica

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Effetti non lineari in guide d'onda SLOT con nanocristalli di silicio

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Informazioni tesi

  Autore: Cosimo Lacava
  Tipo: Laurea II ciclo (magistrale o specialistica)
  Anno: 2009-10
  Università: Università degli Studi di Pavia
  Facoltà: Ingegneria
  Corso: Ingegneria elettronica
  Relatore: Ilaria Cristiani
  Lingua: Italiano
  Num. pagine: 149

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Parole chiave

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