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Simulazione di Mosfet Silicon on Insulator a canale ultrasottile

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Anteprima della tesi: Simulazione di Mosfet Silicon on Insulator a canale ultrasottile, Pagina 5
Induced Barrier Lowering) [5]. Quando la lunghezza di canale e ridotta, ilpotenziale di drain si fa sentire maggiormente e la dierenza tra una polariz-zazione elevata e una piubassae notevole, in termini di variazione di tensionedi soglia. L'abbassamento di VT provoca un aumento di corrente di condu-zione (eetto positivo), a cui fa da contraltare un incremento di corrente diperdita sottosoglia. Possibili rimedi agli eetti di canale corto sono rappre-sentati dal drogare maggiormente il substrato, oppure diminuire lo spessoredi ossido [3]. Ambedue le soluzioni presentano degli inconvenienti: quando lospessore di ossido diviene inferiore ai 20 A, le correnti tunnel che lo attraver-sano si innalzano sensibilmente, mettendo oltretutto a repentaglio l'integritadel dielettrico stesso [3]. Aumentando il drogaggio di substrato si incorre indue eetti indesiderati, come la 
uttuazione casuale del numero di droganti ela distribuzione random degli stessi, provocando variazioni non controllabilidella VT . Per limitare tali eetti si ricorre a proli di drogaggio del canalenon uniformi [3]. Due tra i piu utilizzati sono quello di tipo retrogrado -si aumenta la concentrazione di drogante con l'allontanarsi dall'interfacciaSi/SiO2 - e quello Halo: si esegue una impiantazione supplementare vicinoalle regioni di source e drain [3]. E quindi sorto il problema di trovare nuovealternative alla struttura classica, che comunque ancora oggi rappresenta lasoluzione piu diusa e utilizzata nell'industria microelettronica [6]. Se nesono trovate molte, ognuna delle quali presenta ovviamente dei vantaggi edegli inconvenienti ai quali viene data piu o meno importanza, a secondadelle applicazioni per le quali sono pensate; una di queste e stata studiatae realizzata per prima da IBM ed e chiamata SOI (Silicon on Insulator) [7].Come dice il nome stesso, i dispositivi basati su tale tecnologia presentanouno strato di ossido sepolto chiamato BOX (Buried OXide), come si vedenella rappresentazione schematica di Figura 1.2. Esso garantisce un buonisolamento dielettrico intrinseco [8], non dovendo cos ricorrere a giunzionipolarizzate inversamente. Attualmente molte fonderie hanno intrapreso que-sta strada: l'ultimo processore di AMD (Advanced Micro Devices) e costruitointeramente in tecnologia SOI [6]. 7
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Informazioni tesi

  Autore: Cristiano Berti
  Tipo: Tesi di Laurea
  Anno: 2001-02
  Università: Università degli Studi di Pisa
  Facoltà: Ingegneria
  Corso: Ingegneria Elettronica
  Relatore: Giuseppe Iannaccone
  Lingua: Italiano
  Num. pagine: 183

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microelettronica
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