Skip to content

Crescita epitassiale (MOVPE) di materiali a base di InP e studio degli effetti dell'impiantazione ionica di Fe

Informazioni tesi

  Autore: Stefano Rampino
  Tipo: Tesi di Laurea
  Anno: 2002-03
  Università: Università degli Studi di Parma
  Facoltà: Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali
  Corso: Scienza dei Materiali
  Relatore: Luciano Tarricone
  Lingua: Italiano
  Num. pagine: 155

In seguito allo sviluppo delle tecniche avanzate di deposizione epitassiale (MOVPE, MOMBE, MBE), le leghe di semiconduttori composti III-V ricoprono oggi un ruolo fondamentale nell’ambito dell’elettronica e delle telecomunicazioni: si caratterizzano per l’elevata flessibilità nel campo applicativo e per la grande varietà dei processi fisici adatti allo sviluppo di dispositivi innovativi.
Ultimamente, data la necessità di produrre dispositivi operanti nelle finestre di lavoro delle fibre ottiche o dispositivi per l’elettronica veloce, la ricerca scientifica è orientata verso lo studio dei composti a base di InP, in quanto questi ultimi presentano minori problemi di reattività rispetto alle leghe in cui è presente l’alluminio.
Per ottenere dei dispositivi opto-elettronici da questi materiali, la regione attiva viene affiancata da regioni ad alta resistività mediante tecniche di attacco chimico selettivo (etching), dando vita a strutture sviluppate in altezza (mesa), che risultano però essere molto reattive. In alternativa si possono ottenere regioni semi-isolanti drogando i materiali con atomi che introducono trappole per i portatori all'interno della bandgap: per far questo si utilizzano tradizionalmente le tecniche all'equilibrio termodinamico, come la diffusione. Alternativamente alle tecnologie di equilibrio, può essere utilizzata l’impiantazione ionica: questa tecnica consente di impiantare metalli di transizione in concentrazioni superiori al limite di solubilità, ottenendo regioni semi-isolanti nettamente definite e uniformemente drogate anche in strati sepolti (da 0,5 a 1 μm).
Questo lavoro di tesi si propone di studiare il ruolo dell'impiantazione ionica di Fe nelle leghe ternarie, in particolare all’InGaP, materiale di interesse per le moderne applicazioni tecnologiche. Lo studio del comportamento del ferro impiantato e i meccanismi di attivazione elettrica e ottica destano interesse altresì per comprendere quali siano le caratteristiche di sistemi matrice-impurezza come l’InGaP, più complessi rispetto all'InP.

CONSULTA INTEGRALMENTE QUESTA TESI

La consultazione è esclusivamente in formato digitale .PDF

Acquista
Mostra/Nascondi contenuto.
1 Capitolo 1 Introduzione. In seguito allo sviluppo delle tecniche avanzate di deposizione epitassiale (MOVPE, MOMBE, MBE), le leghe di semiconduttori composti III-V ricoprono oggi un ruolo fondamentale nell‟ambito dell‟elettronica e delle telecomunicazioni: si caratterizzano per l‟elevata flessibilità nel campo applicativo e per la grande varietà dei processi fisici adatti allo sviluppo di dispositivi innovativi. Il gap proibito nella struttura a bande delle leghe III-V (compreso tra 0,18 e 2,42 eV) si accorda con il range di lunghezze d‟onda di interesse nel campo delle comunicazioni ottiche; inoltre il controllo della composizione chimica del drogaggio e delle dimensioni dello strato, assicurato dalle avanzate tecnologie di deposizione, consente di progettare a priori materiali con le caratteristiche necessarie per il dispositivo (“Band Gap Engineering”). Ultimamente, data la necessità di produrre dispositivi operanti nelle finestre di lavoro delle fibre ottiche o dispositivi per l‟elettronica veloce, la ricerca scientifica è orientata verso lo studio dei composti a base di InP, in quanto questi ultimi presentano minori problemi di reattività rispetto alle leghe in cui è presente l‟alluminio. Tra i dispositivi ottici di nuova generazione “InP-based” vanno citati: a) i laser di potenza Al-free InGaAs/InGaP/GaAs che emettono nel range dei 700-1000 nm; b) i VCSEL (Vertical cavità Surface Emitting Laser), basati su strutture InGaAsP/InP a confinamento quantistico, che emettono luce laser nelle finestre di lavoro delle fibre ottiche con potenze elevate e ridotte corenti di soglia (“threshold current”). Nel campo fotovoltaico, con la realizzazione di multi-giunzioni basate su InGaP e InGaAs si sono ottenute efficienze di conversione superiori al 30%. Nella micro-elettronica spiccano i transistor ad elevata mobilità (HEMT), che lavorano a frequenze vicine ai 350 GHz, composti da strutture InAlAs/InGaAs/InP cresciute al match reticolare. Nonostante la tecnica principe nella crescita di strati epitassiali ad elevata purezza e con interfacce nette sia l‟epitassia da fascio molecolare (MBE), essa presenta limiti nella crescita di materiali contenenti fosforo o su substrati InP. Tali limiti sono dovuti alla necessità di costose sorgenti solide di fosforo e all‟effetto memoria dei precursori nella

CONSULTA INTEGRALMENTE QUESTA TESI

La consultazione è esclusivamente in formato digitale .PDF

Acquista

FAQ

Per consultare la tesi è necessario essere registrati e acquistare la consultazione integrale del file, al costo di 29,89€.
Il pagamento può essere effettuato tramite carta di credito/carta prepagata, PayPal, bonifico bancario, bollettino postale.
Confermato il pagamento si potrà consultare i file esclusivamente in formato .PDF accedendo alla propria Home Personale. Si potrà quindi procedere a salvare o stampare il file.
Maggiori informazioni
Ingiustamente snobbata durante le ricerche bibliografiche, una tesi di laurea si rivela decisamente utile:
  • perché affronta un singolo argomento in modo sintetico e specifico come altri testi non fanno;
  • perché è un lavoro originale che si basa su una ricerca bibliografica accurata;
  • perché, a differenza di altri materiali che puoi reperire online, una tesi di laurea è stata verificata da un docente universitario e dalla commissione in sede d'esame. La nostra redazione inoltre controlla prima della pubblicazione la completezza dei materiali e, dal 2009, anche l'originalità della tesi attraverso il software antiplagio Compilatio.net.
  • L'utilizzo della consultazione integrale della tesi da parte dell'Utente che ne acquista il diritto è da considerarsi esclusivamente privato.
  • Nel caso in cui l'Utente volesse pubblicare o citare una tesi presente nel database del sito www.tesionline.it deve ottenere autorizzazione scritta dall'Autore della tesi stessa, il quale è unico detentore dei diritti.
  • L'Utente è l'unico ed esclusivo responsabile del materiale di cui acquista il diritto alla consultazione. Si impegna a non divulgare a mezzo stampa, editoria in genere, televisione, radio, Internet e/o qualsiasi altro mezzo divulgativo esistente o che venisse inventato, il contenuto della tesi che consulta o stralci della medesima. Verrà perseguito legalmente nel caso di riproduzione totale e/o parziale su qualsiasi mezzo e/o su qualsiasi supporto, nel caso di divulgazione nonché nel caso di ricavo economico derivante dallo sfruttamento del diritto acquisito.
  • L'Utente è a conoscenza che l'importo da lui pagato per la consultazione integrale della tesi prescelta è ripartito, a partire dalla seconda consultazione assoluta nell'anno in corso, al 50% tra l'Autore/i della tesi e Tesionline Srl, la società titolare del sito www.tesionline.it.
L'obiettivo di Tesionline è quello di rendere accessibile a una platea il più possibile vasta il patrimonio di cultura e conoscenza contenuto nelle tesi.
Per raggiungerlo, è fondamentale superare la barriera rappresentata dalla lingua. Ecco perché cerchiamo persone disponibili ad effettuare la traduzione delle tesi pubblicate nel nostro sito.
Scopri come funziona

DUBBI? Contattaci

Contatta la redazione a
[email protected]

Ci trovi su Skype (redazione_tesi)
dalle 9:00 alle 13:00

Oppure vieni a trovarci su

Parole chiave

semiconduttori
film sottili
movpe
mocvd
epitassia
impiantazione ionica
ingap
inp
rbs
xrd
drogaggio
fosfuro di indio
impiantazione fe
pixe
iii-v
dispositivi opto-elettronici

Non hai trovato quello che cercavi?


Abbiamo più di 45.000 Tesi di Laurea: cerca nel nostro database

Oppure consulta la sezione dedicata ad appunti universitari selezionati e pubblicati dalla nostra redazione

Ottimizza la tua ricerca:

  • individua con precisione le parole chiave specifiche della tua ricerca
  • elimina i termini non significativi (aggettivi, articoli, avverbi...)
  • se non hai risultati amplia la ricerca con termini via via più generici (ad esempio da "anziano oncologico" a "paziente oncologico")
  • utilizza la ricerca avanzata
  • utilizza gli operatori booleani (and, or, "")

Idee per la tesi?

Scopri le migliori tesi scelte da noi sugli argomenti recenti


Come si scrive una tesi di laurea?


A quale cattedra chiedere la tesi? Quale sarà il docente più disponibile? Quale l'argomento più interessante per me? ...e quale quello più interessante per il mondo del lavoro?

Scarica gratuitamente la nostra guida "Come si scrive una tesi di laurea" e iscriviti alla newsletter per ricevere consigli e materiale utile.


La tesi l'ho già scritta,
ora cosa ne faccio?


La tua tesi ti ha aiutato ad ottenere quel sudato titolo di studio, ma può darti molto di più: ti differenzia dai tuoi colleghi universitari, mostra i tuoi interessi ed è un lavoro di ricerca unico, che può essere utile anche ad altri.

Il nostro consiglio è di non sprecare tutto questo lavoro:

È ora di pubblicare la tesi